중국 DRAM 생산능력 2030년 두 배로

중국 메모리 반도체 업계가 향후 5년간 공격적인 설비 확장에 나설 것이라는 전망이 제기됐다. 대만 공상시보는 골드만삭스 보고서를 인용해 중국 DRAM 제조사들의 생산능력이 2030년까지 현재 수준의 두 배로 늘어날 것이라고 보도했다. 이 같은 확장을 이끄는 곳은 중국 최대 DRAM 업체인 CXMT(창신메모리테크놀로지)다. 주목할 점은 증설의 기술적 경로다. 보고서는 중국 업체들이 EUV(극자외선) 노광장비 도입을 제한받고 있는 탓에 3D DRAM 기술 개발에 역량을 집중하고 있다고 진단했다. 기존 DRAM은 미세 공정 축소를 통해 집적도를 높여왔고, 이 과정에서 EUV 장비 확보 여부가 사실상 기술 상한선을 결정해 왔다. 반면 3D DRAM은 셀을 수직으로 쌓아 올려 선폭 미세화 없이도 용량을 확대하는 방식으로, 낸드플래시가 이미 걸어온 길과 유사하다. 서방의 장비 통제라는 제약 조건을 정면 돌파 대신 우회 설계로 넘어서려는 전략인 셈이다. 시장 측면에서 이번 전망은 메모리 업황의 중장기 변수로 읽힌다. 그동안 중국의 존재감은 레거시 DDR4 등 범용 제품군에 국한돼 왔지만, 생산능력이 두 배로 늘어날 경우 범용 DRAM 가격의 하방 압력은 구조적으로 커질 수 있다. 마이크론과 SK하이닉스, 삼성전자 등 기존 3사가 고부가 제품 비중 확대로 대응해 온 흐름이 더욱 가속될 가능성이 높다. 장비 업계에는 상반된 신호가 공존한다. 대규모 증설 자체는 전공정 장비 수요를 뒷받침하지만, 그 수요가 EUV가 아닌 다른 장비군으로 향한다면 노광 장비 진영이 누릴 수 있는 수혜는 제한적이다. 다만 3D DRAM은 아직 양산 검증 단계가 남아 있어, 실제 전망치 달성 여부는 수율과 원가 경쟁력에 달려 있다는 점도 함께 고려할 필요가 있다.