AI 요약
- •골드만삭스는 중국 국산 DUV 장비 양산 규모를 2026년 5대, 2027년 20대 수준으로 추정해 ASML의 연간 130대 이상 이머전 DUV 공급량과 큰 격차가 있다고 분석했다.
- •중국 DUV의 성능은 ASML이 2004~2007년 상용화한 28nm 진입용 기본 사양에 근접한 수준으로, EUV·High NA 기반 3nm 이하 공정과는 2~3세대 광원·정밀도 격차가 유지된다.
- •EUV 없이 DUV 멀티패터닝으로 7nm 이하를 강행하면 수율 하락과 Capex 급증으로 TSMC 대비 40~50% 높은 원가 구조가 발생해 상업적 수익성 확보가 어렵다는 판단이다.
뉴스 기사
중국의 자체 DUV 노광장비 양산 소식이 반도체 섹터 전반의 조정을 촉발했지만, 골드만삭스 자료를 근거로 한 검토 결과 시장 반응이 실제 위협의 크기를 크게 앞질렀다는 진단이 제기됐다. 먼저 물량 측면의 간극이 뚜렷하다. 중국산 DUV의 본격 출하는 2026년 5대, 2027년 20대 안팎으로 파악되는데, 이는 ASML이 한 해 공급하는 이머전 DUV 130대 이상과 비교하면 시범 도입 수준에 그친다. 글로벌 팹이 실제로 필요로 하는 장비 소요량을 감당할 수 있는 규모가 아니라는 의미다. 기술 격차 역시 좁혀지지 않았다. 중국이 확보한 사양은 ASML이 2004년에서 2007년 사이 상용화한 ArF 이머전 계열, 즉 28nm 진입을 겨우 지원하는 20년 전 세대에 해당한다. EUV와 High NA EUV를 축으로 3nm 이하를 다루는 현재 선단 공정과는 광원과 정밀도에서 두세 세대의 근본적 차이가 남아 있다. 경제성 장벽은 더 결정적이다. EUV를 배제한 채 DUV 멀티패터닝만으로 7nm 이하를 구현하려 하면 공정 단계가 급격히 늘어나고 불량률이 치솟는다. 골드만삭스의 수율 시뮬레이션에 따르면, 동일한 칩 출하량을 유지하려면 더 많은 장비를 들여야 하고 설비투자는 기하급수적으로 불어난다. 결과적으로 TSMC 대비 40~50% 높은 생산 원가 구조가 형성되며, 내수용 범용 칩을 제외하면 상업적 채산성을 맞추기 어렵다. 시간과 자본의 문제도 남는다. ASML이 65nm에서 3nm 이하까지 노드를 끌어올리는 데 20년과 400억 달러를 넘는 투자가 투입됐다. 난도가 훨씬 높은 EUV 자체 개발과 핵심 부품 내재화에는 그에 준하는 비용과 기간이 불가피하며, 양산 수율과 품질 신뢰성을 입증하는 데만도 수개월에서 수년의 추가 검증이 필요하다. 종합하면 최근의 반도체 주가 하락은 'CXMT 상장'과 '국산 DUV 양산'이라는 두 헤드라인에 대한 심리적 과잉 반응 성격이 짙다. 성숙 노드 중심의 공급망 자립이라는 함의는 유효하지만, 첨단 AI 반도체 밸류체인의 핵심 경쟁력과 선도 기업들의 지배력을 흔들 가능성은 현시점에서 매우 낮다는 평가다.
AI 투자 인사이트
중국 DUV 이슈는 성숙 노드에 국한된 재료로, 노광장비·선단 파운드리의 해자는 유지된다. 심리적 과매도 구간을 선도 기업 비중 확대 기회로 볼 여지가 있다.