중국 DUV 자립 가속, ASML 기술 해자 축소 논란

중국의 DUV(심자외선) 노광장비 기술 확보 시점이 시장의 예상보다 빨라졌다는 관측이 반도체 업계에서 확산되고 있다. 아직 사실관계가 확정되지 않은 사안이지만, 확인될 경우 글로벌 반도체 장비 산업의 경쟁 구도를 흔들 수 있는 사안으로 평가된다. 그동안 미국이 주도해온 대중국 반도체 장비 수출 규제는 기술 격차를 유지시키는 사실상의 진입 장벽으로 작동해 왔다. 특히 고선택비 식각 장비와 EUV 노광장비가 그 핵심이었으며, 중국은 이 두 축에서 접근이 차단된 상태였다. 개별 DUV 장비의 양산 자체가 최첨단 공정의 결정적 변수는 아니라는 시각도 존재한다. 다만 중국이 DUV 기술을 자체적으로 완성하는 시점이 앞당겨진다면, ASML이 보유한 기술적 우위는 처리량이 높은 EUV 장비와 차세대 High-NA EUV 영역으로 국한된다. 규제의 실효 범위가 좁아지는 만큼 밸류에이션 프리미엄에 대한 재검토 요구가 커질 수 있고, 이는 주가 조정의 명분으로 작용할 소지가 있다. 기술적으로도 함의가 작지 않다. 현재 업계에서는 DUV 멀티패터닝만으로도 4나노급 로직 공정과 1B(1베타) 세대 D램 양산이 가능하다는 견해가 일반적이다. 즉 EUV 접근이 막혀 있더라도 중국 업체들이 상당한 수준의 로직·메모리 생산능력을 확보할 수 있다는 의미다. 투자 관점에서는 두 갈래의 점검이 필요하다. 하나는 서방 장비업체의 중국향 매출 지속성과 기술 해자의 유효 기간이며, 다른 하나는 중국의 공격적 증설이 메모리와 성숙 공정 시장의 수급에 미칠 중장기 압력이다. 특히 D램 업황이 회복 국면에 있는 상황에서 중국발 공급 증가 시나리오는 사이클 고점 판단에 변수로 작용할 수 있다. 다만 현 단계에서는 팩트체크가 선행되지 않은 정보인 만큼, 공식 확인 전까지는 관찰 대상으로 두는 접근이 합리적이다.