EUV 없이도 1b D램·HBM4 생산 가능성 제기

반도체 선단 공정에서 EUV(극자외선) 노광 장비가 필수 조건인지에 대한 시각이 다시 도마에 올랐다. 결론부터 보면 EUV 없이도 1b 나노급 D램까지는 생산이 가능하다는 지적이다. 실제 사례로 마이크론이 거론됐다. 마이크론은 EUV 장비를 적용하지 않은 상태에서 DDR5용 1b 나노 D램을 양산하고 있는 것으로 알려져 있다. 이는 기존 DUV(심자외선) 장비를 기반으로 한 멀티패터닝 기법만으로도 현행 주력 D램 노드에 대응할 수 있다는 것을 보여주는 사례다. 중국 파운드리 SMIC의 사례도 함께 언급됐다. SMIC는 DUV 장비를 한계까지 밀어붙이는 방식으로 이른바 N+3 공정, 즉 5nm급에 준하는 수준의 공정을 구현하고 있는 것으로 평가된다. 노광 장비 자체의 해상도 한계를 패터닝 횟수와 공정 최적화로 보완하는 접근이다. 이러한 전제를 확장하면 시사점은 더 커진다. DUV 기반으로 5nm급 수준의 패터닝이 가능하다면, 이론적으로는 차세대 고대역폭 메모리인 HBM4와 HBM4E 세대까지도 생산 자체는 가능하다는 계산이 나온다는 것이다. 다만 이는 어디까지나 기술적 가능성에 대한 논의다. 멀티패터닝 단계가 늘어날수록 공정 스텝 수와 마스크 비용이 증가하고, 수율 확보와 원가 경쟁력 측면에서는 EUV 대비 불리한 구조가 형성된다. 즉 '만들 수 있는가'와 '경제성 있게 대량으로 만들 수 있는가'는 별개의 문제다. 투자 관점에서 이 논의는 두 방향으로 읽힌다. 하나는 장비 수출 규제가 선단 메모리 생산을 완전히 차단하지는 못한다는 점이며, 다른 하나는 규제 우회 경로가 존재하더라도 원가 구조상 격차는 유지될 가능성이 높다는 점이다. 메모리 업황과 HBM 공급 구도를 볼 때 향후 관건은 기술적 구현 여부가 아니라 수율과 단가라는 현실적 변수가 될 전망이다.