삼성 화성 D램 캡 연말 15% 확대

삼성전자가 화성캠퍼스의 D램 생산 체계를 재편하며 범용 D램 공급 확대에 나선다. 신규 팹을 짓는 대신 기존 유휴 공간을 활용하는 방식으로, 투자비와 시간을 동시에 줄이면서 공급을 끌어올리겠다는 전략이다. 업계에 따르면 삼성전자 메모리제조기술센터는 이달 태스크포스를 꾸리고 화성캠퍼스 1단지(H1)에 범용 D램 엔드팹을 구축하는 작업에 착수했다. 현재 2단지(H2)와 천안캠퍼스에 흩어져 있는 엔드팹 설비를 H1으로 옮기고, 이전으로 비워지는 공간에는 생산라인을 추가로 넣는 구조다. 엔드팹은 메인팹에서 만들어진 트랜지스터 등 메모리 구성 요소를 연결하는 전공정의 마지막 단계다. 그동안 삼성은 화성에서 메인팹 중심으로 설비를 늘려온 탓에 일부 엔드팹 공정이 천안에 분산돼 있었고, 두 공정의 물리적 거리는 D램 생산 리드타임을 늘리는 요인으로 작용해 왔다. 전영현 삼성전자 DS부문장은 노후 메모리 라인 철거로 확보된 화성 H1의 유휴 클린룸 활용 방안을 검토한 끝에 이곳을 새로운 엔드팹 거점으로 낙점한 것으로 전해진다. 기존 클린룸을 재활용하는 만큼 자본적지출과 공사 기간을 모두 단축할 수 있다는 점이 결정적이었다. 이번 재편의 핵심은 단순 증설이 아니라 범용 D램의 전·후 공정을 한 사업장에 모으는 집적화에 있다. 기존에는 화성 메인팹에서 만든 반제품을 천안 엔드팹으로 실어 날라야 했던 만큼 생산 효율 손실이 적지 않았다. 사실상 건설 단계부터 메인팹과 엔드팹을 같은 부지에 배치한 평택캠퍼스 모델을 화성에 이식하는 셈이다. 한 업계 관계자는 "삼성전자의 범용 D램 생산능력은 연말 기준으로 연초 대비 약 15% 높아질 것"이라며 "메인팹과 엔드팹이 한곳에 모이면 웨이퍼를 후공정 라인으로 일괄 이송할 수 있어 물류 효율도 개선된다"고 말했다. 배경에는 극심한 범용 D램 수급 불균형이 자리한다. DDR4 가격은 올해 상반기에만 80% 넘게 뛰었고, 애플을 비롯한 대형 고객사들은 메모리 부족 속에 중국 업체로부터의 조달까지 검토하는 상황이다. 삼성의 이번 조치는 이러한 수요를 최대한 흡수하려는 대응으로 읽힌다. 시장 관점에서는 해석이 엇갈릴 수 있다. 공급 확대는 세트업체의 조달 리스크를 낮추는 긍정 요인이지만, 가파른 메모리 가격 상승 사이클의 지속성에는 변수로 작용한다. 연말 이후 실제 증설분이 출하로 이어지는 시점과 수요 증가 속도의 균형이 메모리 업황 판단의 관건이 될 전망이다.