삼성, 화성 H1 엔드팹 신설로 D램 15% 증설

삼성전자가 범용(레거시) D램 생산능력 확대에 본격적으로 나섰다. 27일 업계에 따르면 삼성전자 메모리제조기술센터는 이달 중 별도 태스크포스(TF)를 발족하고 화성캠퍼스 제1단지(H1)에 범용 D램용 엔드팹 구축 작업에 돌입했다. 엔드팹은 메인팹에서 형성된 트랜지스터 등 메모리 소자를 배선으로 연결하는 공정을 담당하는 시설로, 웨이퍼 전공정의 마지막 단계에 해당한다. 그동안 삼성전자는 화성캠퍼스를 메인팹 위주로 증설해 왔고, 엔드팹 설비는 화성 제2단지(H2)와 천안캠퍼스에 나뉘어 있었다. 두 공정 거점이 물리적으로 떨어져 있다 보니 D램 한 장을 완성하는 데 걸리는 시간이 길어졌고, 이는 범용 D램 공급을 빠르게 늘리는 데 구조적 제약으로 작용해 왔다. 이번 프로젝트는 분산된 엔드팹 설비를 H1으로 집결시키는 동시에, 그 과정에서 확보되는 여유 공간에 신규 생산라인을 까는 이원 전략이다. 전영현 DS부문장은 구형 메모리 라인을 걷어내면서 비어 있던 화성 H1 클린룸의 활용 방안을 검토한 끝에 이곳을 새 엔드팹 거점으로 낙점한 것으로 전해졌다. 신규 부지 조성 없이 기존 유휴 공간을 재활용하는 방식이어서 투입 자본 대비 캐파 증분 효율이 높다는 점이 특징이다. 업계 관계자는 연말께 삼성전자의 범용 D램 생산능력이 연초 대비 약 15% 증가할 것으로 내다봤다. 시장 관점에서 이 수치는 양면적이다. 그간 메모리 업체들이 HBM과 고부가 서버 D램으로 캐파를 전환하면서 레거시 D램은 만성적 공급 부족 상태였고, 이것이 DDR4·DDR5 범용 제품 가격 급등의 배경이었다. 선두 공급사가 레거시 캐파를 두 자릿수로 되돌리면 이 가격 강세의 지속성에 대한 의문이 커질 수밖에 없다. 다만 실제 물량이 시장에 풀리는 시점은 연말 이후이며, 사이클 완화가 곧바로 다운턴을 의미하지는 않는다. 메모리 업종 투자자라면 증설 진척도와 함께 월별 D램 고정거래가 흐름, 그리고 경쟁사들의 맞대응 증설 여부를 함께 추적할 필요가 있다.