삼성 HBM5에 2nm GAA 적용 공식화

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술 로드맵의 핵심을 처음으로 공개했다. 중국 현지 매체 보도에 따르면 삼성은 HBM5의 로직 다이, 이른바 베이스 다이에 2nm GAA(게이트올어라운드) 공정을 적용할 계획임을 공식 확인했다. 삼성이 제시한 성능 목표는 구체적이다. HBM5는 직전 세대인 HBM4E와 비교해 데이터 전송 속도를 50% 이상 끌어올리고, 동시에 전력 효율에서도 의미 있는 개선을 달성하겠다는 것이다. HBM의 성능 경쟁이 단순한 적층 단수나 D램 셀 미세화를 넘어, 메모리 하단을 받치는 로직 다이의 공정 수준으로 무게중심을 옮기고 있음을 보여주는 대목이다. 베이스 다이에 선단 로직 공정을 쓸수록 신호 처리와 전력 관리 회로를 더 촘촘하게 집적할 수 있어, 대역폭과 와트당 성능을 동시에 확보하기 쉬워진다. 같은 자리에서 삼성은 파운드리 수주 현황도 함께 언급했다. 테슬라의 차량용 2nm 공정 물량을 확보했으며, AI 기업과 클라우드 서비스 사업자로부터도 추가 주문을 꾸준히 받고 있다고 설명했다. 메모리와 파운드리를 한 지붕 아래 두고 있는 구조를 활용해, 로직 공정 경쟁력을 HBM 사업의 지렛대로 삼겠다는 전략이 읽힌다. 시장은 이번 발표를 삼성이 HBM 주도권 경쟁에서 반전의 발판을 마련할 수 있을지 가늠하는 잣대로 보고 있다. HBM3E 세대에서 밀렸던 삼성이 차세대에서 공정 우위를 앞세워 판을 되돌릴 수 있느냐가 관건이다. 다만 2nm GAA 양산 수율과 실제 고객사 퀄 테스트 통과 여부가 확인되기 전까지는 로드맵과 실적 사이의 간극이 남는다. AI 가속기 수요가 메모리 대역폭에 병목을 겪고 있는 국면인 만큼, HBM 공급 구도의 변화는 미국 AI 반도체 밸류체인 전반의 원가와 성능 곡선에 직접 반영될 사안이다.