삼성·브로드컴 292조 반도체 협력 체결

삼성전자가 미국 반도체 설계기업 브로드컴과 5년간 2000억달러(약 292조원) 규모의 대형 반도체 협력에 나선다. 양사는 24일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 'AI 서밋'에서 차세대 AI 인프라 구축을 위한 전략적 업무협약(MOU)을 체결했다. 이번 협력의 핵심은 삼성이 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 하나로 묶은 '원스톱 턴키 솔루션'을 공급한다는 점이다. 2030년까지 메모리와 파운드리 분야에서 2000억달러 이상 규모의 협력이 추진된다. 메모리 부문에서는 삼성이 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 최첨단 제품을 브로드컴 AI 가속기에 공급한다. 삼성은 올해 2월 1c D램과 4nm 베이스다이 기술을 적용한 HBM4를 세계 최초로 양산 출하했고, 5월에는 HBM4E 샘플까지 업계 최초로 고객사에 전달하며 기술 우위를 이어가고 있다. 파운드리 영역에서는 브로드컴의 고속 데이터 통신용 반도체에 2nm 이하 첨단 공정을 적용하며, 동일 공정 기반의 첨단 패키징으로 고성능·고효율 AI 칩 구현을 지원한다. 설계 최적화 단계부터 칩 설계, 패키징, 양산까지 전 과정을 긴밀히 연계해 개발 기간을 단축하고 성능과 전력 효율을 끌어올리겠다는 전략이다. 전영현 삼성전자 DS부문장은 AI 시대에는 메모리와 로직, 첨단 패키징이 통합된 솔루션이 중요하다며 브로드컴과의 협력으로 미래 AI 인프라 발전을 가속화하겠다고 밝혔다. 찰리 카와스 브로드컴 반도체 솔루션 그룹 사장도 AI 인프라 확장 속 생태계 협력의 중요성을 강조했다. 이번 협약은 급성장하는 AI·고성능 컴퓨팅 시장에서 양사가 새로운 사업 기회를 발굴하고 차세대 반도체 생태계 경쟁력을 높이려는 행보로 풀이된다.