SK하이닉스, 美고객과 3D 적층 DRAM 공동개발

SK하이닉스가 차세대 온디바이스 AI 메모리 기술 확보에 본격 나섰다. 중국 매체 보도에 따르면 회사는 북미 자회사를 통해 관련 엔지니어 채용에 착수했으며, 미국 고객사와 손잡고 3D 적층 DRAM-on-Logic 기술을 공동 설계하고 있다. 해당 기술의 핵심은 메모리를 로직 칩 바로 위에 수직으로 쌓아 올리는 구조다. 이렇게 하면 데이터가 이동하는 물리적 거리가 줄어 지연시간과 전력 소모를 크게 낮출 수 있다. 기존에는 칩을 패키지 위에 겹쳐 쌓는 PoP(Package on Package) 방식이 주로 쓰였지만, 이 구조는 성능과 전력 측면에서 한계가 뚜렷했다. SK하이닉스는 새로운 적층 기술로 이러한 한계를 넘어 스마트폰을 비롯한 온디바이스 AI 시장을 선점하겠다는 구상이다. 생성형 AI가 클라우드를 넘어 기기 자체에서 구동되는 흐름이 확산되면서, 저전력·고성능 메모리 수요가 빠르게 늘어날 것으로 예상되기 때문이다. 미국 고객사와의 공동 개발은 실제 수요처를 확보한 상태에서 기술을 다듬는다는 점에서 의미가 크다. 향후 온디바이스 AI 메모리 시장이 본격 개화할 경우, SK하이닉스가 HBM에 이어 또 하나의 고부가 성장 축을 확보할 수 있을지 주목된다.