SK하이닉스, 온디바이스 AI용 3D 적층 D램 개발 착수

SK하이닉스가 온디바이스 인공지능(AI)용 차세대 메모리로 주목받는 '3D 적층 D램' 개발에 속도를 내고 있다. 업계에 따르면 회사는 미국 고객사와의 공동 개발을 위한 엔지니어 채용에 나섰다. 3D 적층 D램-온-로직은 시스템 반도체(로직) 칩 위에 메모리를 직접 수직으로 쌓아 올리는 차세대 집적 기술이다. 생성형 AI를 넘어 물리적 AI 시대로 산업이 이동하면서, 기기 자체에서 연산을 처리하는 엣지 AI 디바이스의 핵심 부품으로 부상하고 있다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 미국 캘리포니아 산호세 소재 자회사를 통해 3D 적층 D램-온-로직 설계 엔지니어 모집에 착수했다. 회사가 이 분야 전문 인력을 채용하는 것은 이번이 처음으로, 상용화를 선제적으로 준비하려는 행보로 해석된다. 이미 특정 고객사와 기술 적용을 위한 협력 관계를 구축한 것으로 전해진다. 이 기술은 단순히 두 칩을 위아래로 배치하는 패키지-온-패키지(PoP) 방식과 달리, 칩 간 거리를 크게 줄이고 동일 면적 내 데이터 전송 채널(I/O) 수를 대폭 늘릴 수 있다. 이를 통해 데이터 전송 지연을 낮추는 동시에 전력 효율과 공간 활용도를 개선한다. 높은 메모리 대역폭과 저전력을 동시에 요구하는 온디바이스 AI 환경에서 기존 PoP 구조의 성능 한계를 극복할 대안으로 평가된다. 가장 유력한 적용처로는 스마트폰의 두뇌 역할을 하는 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)가 꼽힌다. 이 영역은 온디바이스 AI 구현을 위해 최첨단 파운드리·패키징 공정이 적용되는 분야로, 애플과 퀄컴이 모바일 AP 설계를 주도하고 있다. 안현 SK하이닉스 개발총괄(CDO)은 지난 4월 'TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026'에서 "메모리와 로직 기술의 결합은 기존 아키텍처의 한계를 뛰어넘어 AI 성능을 극대화하는 기술적 돌파구가 될 것"이라며, 맞춤형 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 최적화된 솔루션을 제공하겠다고 밝힌 바 있다. HBM 시장 주도권을 쥔 SK하이닉스가 온디바이스 AI 메모리로 영역을 확장하려는 움직임으로, 향후 모바일·엣지 AI 시장에서의 메모리 경쟁 구도에 변화를 예고하는 대목이다.