800V 전환, 전력반도체가 최대 수혜

AI 연산 성능이 세대를 거듭하며 데이터센터의 전력 밀도가 폭발적으로 증가하고 있다. 가속기 랙당 전력은 Hopper 세대의 40kW 수준에서 차세대 Feynman 세대에는 1MW 이상으로 약 25배 확대될 것으로 전망된다. 이처럼 전력 수요가 급증하자 엔비디아와 주요 하이퍼스케일러는 전송 과정의 손실을 최소화하기 위해 기존 48V 기반 배전 구조를 800V 고전압 직류(HVDC) 체제로 전환하고 있다. 전압 표준을 둘러싸고는 엔비디아가 제시한 800V 단극 방식과 OCP 진영의 400V 양극 방식이 주도권 경쟁을 벌이는 양상이다. 이번 리서치는 설비 투자 총액이 통제되는 국면에서도 시스템 내 부품 비중(BOM Share)을 키우며 성장할 수 있는 전력반도체 진영에 주목한다. 고전압 환경에 대응하기 위해 기존 실리콘 소자가 SiC·GaN 등 화합물 반도체로 대체되고, 전원장치의 고용량화로 부품 탑재 가치가 동반 상승하는 사이클이 시작됐다는 분석이다. 종목별로는 보드 제어 칩 영역에서 MPWR가 Rubin 세대 점유율 회복이 기대되고, VICR는 수직 급전 특허를 앞세운 고위험·고수익 후보로 제시됐다. 화합물 반도체에서는 인피니언(IFNNY)이 안정적 앵커 종목, 온세미(ON)가 48V AI 서버 부품을 기반으로 단기 실적 가시성을 갖춘 것으로 평가됐다. 고베타·소재군에서는 나비타스(NVTS)가 800V 전환의 최대 수혜 후보로, 울프스피드(WOLF)는 SiC 기판 수혜에도 수익성과 재무 위험에 유의가 필요한 종목으로 분류됐다. 전력반도체는 아키텍처 전환의 시차에 따라 단기 실적주와 장기 성장주로 명확히 구분되는 만큼, 세부 밸류체인별 마진율과 중화권 기업과의 경쟁 구도를 함께 고려한 선별적 접근이 요구된다.