화웨이, 2027년까지 첨단 D램 26만장 확보

중국 화웨이가 첨단 D램 생산능력을 대규모로 확보하며 메모리 자립에 속도를 내고 있다는 관측이 제기됐다. 반도체 업계 소식통에 따르면 화웨이는 자국 파운드리 JHICC(진화집적회로)와 스웨이슈어(Swaysure)를 통해 2027년 말까지 월 약 26만 장(WPM) 규모의 1z 및 1a 나노급 D램 생산능력을 통제하게 될 전망이다. 1z와 1a 나노 공정은 최신 세대에 근접한 상대적으로 진보된 D램 노드로 분류된다. 그동안 미국의 대중국 수출 규제로 첨단 메모리 확보에 어려움을 겪어온 화웨이가 우회 생산 체계를 통해 자체 공급망을 구축하고 있음을 시사한다. 이러한 움직임은 마이크론, 삼성전자, SK하이닉스 등 기존 메모리 3사에 중장기적 경쟁 압력으로 작용할 수 있다. 중국산 D램 물량이 자국 수요를 흡수하고 점차 범용 시장으로 확대될 경우, 글로벌 공급 증가와 가격 하락 압력이 나타날 가능성이 있다. 다만 실제 수율과 양산 안정성, 규제 변수에 따라 계획의 실현 시점과 규모는 달라질 수 있다.