中 기린9030, EUV 없이 인텔 18A보다 미세

화웨이 최신 플래그십 스마트폰에 탑재된 하이실리콘 기린9030 칩을 실물 분해해 전자현미경으로 들여다본 결과가 반도체 업계의 통념을 흔들고 있다. 칩 내부에서 가장 미세한 배선 간격, 즉 금속 피치가 32.5나노미터로 측정된 것이다. 주목할 점은 이 수치가 인텔이 자사 최신 18A 공정을 기반으로 내놓은 팬서레이크(Panther Lake)의 금속 피치보다 오히려 좁다는 사실이다. 인텔 18A는 EUV(극자외선) 노광 장비를 활용한 인텔의 최선단 노드다. 반면 기린9030을 생산한 중국 파운드리는 미국의 수출 통제로 EUV 장비에 접근할 수 없는 상태다. 가장 앞선 제조 장비가 차단된 환경에서도 인텔의 EUV 기반 리딩 엣지 노드보다 약 10% 더 촘촘하게 배선을 배치한 셈이다. 이는 대중 반도체 제재의 실효성과 서방 파운드리의 기술적 우위에 대한 근본적인 물음을 던진다. 다중 패터닝 등 우회 공정을 통해 중국이 EUV 없이도 상당한 미세화 수준에 도달했음을 시사하며, 인텔 파운드리 사업의 경쟁 구도에도 부담 요인으로 작용할 수 있다.