메모리 슈퍼사이클, 2028년까지 공급부족 지속

AI 서버 수요 폭증이 메모리 시장을 강력한 상승 사이클로 밀어 올리고 있다. HBM(고대역폭메모리)이 기존 범용 DRAM의 생산 능력을 잠식하면서 빚어진 공급 부족이 2028년까지 이어질 것이라는 전망이 나왔다. 가격 흐름을 보면 2026년 3분기 DRAM 계약가는 전분기 대비 18~25% 급등할 것으로 예상된다. 4분기에는 상승 폭이 8~10% 안팎으로 둔화되지만, 이는 상승세 진정일 뿐 공급 과잉으로의 전환을 의미하지 않는다. 2027년에도 분기마다 가격 상승이 이어지며 이번 호황의 정점은 2028년 하반기가 될 가능성이 크다. 공급 부족의 핵심 원인은 낮은 웨이퍼 생산 효율이다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 3사의 연간 웨이퍼 캐파는 약 12% 늘지만, 신규 캐파의 절반가량이 HBM으로 전환되며 실제 DRAM 공급 증가가 억제되고 있다. HBM3E는 수율이 약 35%에 그쳐 웨이퍼당 유효 칩이 약 580개로, 일반 D1B DRAM(약 1,750개)에 크게 못 미친다. 차세대 HBM4는 수율이 25%로 더 낮아져 웨이퍼당 약 500개에 불과할 전망이다. 이에 따라 2027~2028년 글로벌 DRAM 비트 공급 성장률은 약 15%로, 장기 수요 성장률 22%를 밑돌게 된다. HBM 출하 전망은 지속적으로 상향되고 있다. 삼성전자는 2026년 약 120억 Gb에서 2027년 200억 Gb로, SK하이닉스는 2026년 180억 Gb에서 2027년 240억 Gb로 확대될 것으로 보인다. 기술 측면에서 HBM4는 12나노 베이스 다이를, HBM4E는 첨단 로직 공정을 채택하며, 특히 SK하이닉스는 TSMC의 3나노 공정을 도입해 CoWoS 등 첨단 패키징 공급망에 수혜가 예상된다. 증설 경쟁도 가속화되고 있다. 삼성전자 평택 P5 Fab 1은 2027년 7월, 용인 신규 기지는 2029년 가동을 앞당겼고 반도체 자본지출은 2025년 약 48조 원에서 2028년 100조 원 이상으로 늘어난다. SK하이닉스 역시 용인 Y1을 2027년 2월, Y2를 2028년 하반기로 앞당기며 캐파를 2025년 28조 원에서 2028년 80조 원 규모로 확대한다. 업계는 신규 생산 능력이 본격적으로 시장에 풀리는 시점(SK하이닉스 2027년 2월, 마이크론 2027년 5월, 삼성전자 2027년 7월)을 상승 사이클의 종료 신호로 주시하고 있다. 결과적으로 DRAM 경기는 2028년 하반기 고점을 찍은 뒤, 빅테크의 AI 데이터센터 투자가 2029년경 정체기에 진입하며 조정 국면에 들어설 것으로 예측된다.