AI 요약
- •BofA는 3분기 서버 DRAM 계약가가 고속 LPDDR5 주도로 QoQ 20~30% 상승하며 컨센서스를 상회했고, DRAM 현물가는 8주 연속 오르며 가격 고점 우려를 반전시켰다고 진단
- •NAND도 1Tb 웨이퍼 현물가가 WoW 4% 상승하는 등 회복세로 3분기 ASP 10% 이상 상승 기대가 형성되고 있음
- •TSMC의 2분기 호실적과 사상 최대 Capex, ASML의 견조한 실적이 첨단 로직·HBM 수요 확대를 통해 메모리 업황 전반에 긍정적 낙수효과를 제공
뉴스 기사
뱅크오브아메리카(BofA)가 3분기 글로벌 메모리 업황을 점검하며 가격 상승과 밸류체인 전반의 호조를 근거로 반도체 섹터 투자 매력이 높아지고 있다고 평가했다. 핵심은 DRAM 가격의 예상치 상회다. 3분기 서버 DRAM 계약가는 고속 LPDDR5 수요를 중심으로 전분기 대비 20~30% 오르며 20% 미만이던 기존 컨센서스를 넘어섰다. 범용 DDR5와 레거시 DDR4의 현물 수요도 강해 7월 가격이 다시 상승 전환했고, 단가가 높은 HBM4의 단기 주문이 늘어나는 흐름도 확인된다. 장기계약(LTA) 비중이 전체의 절반 미만인 가운데 LTA 계약에서도 전분기 대비 5~10% 수준의 가격 인상이 타결되고 있으며, 일부 OEM의 급격한 러시 오더는 NAND 가격까지 20% 이상 끌어올리는 요인으로 작용하고 있다. 현물 시장의 온기도 뚜렷하다. DRAM 현물가는 이미 높은 수준임에도 8주 연속 상승세를 이어가며 두세 달 전 팽배했던 고점 우려를 반전시켰다. 과거 개당 5달러 안팎에 DRAM을 사들이며 가격 급등에 저항해 PC·태블릿·스마트폰 생산을 줄였던 OEM들은, 9월과 4분기 성수기를 앞두고 다시 칩 조달을 늘리고 있다. NAND 역시 이번 주 1Tb 웨이퍼 현물가가 전주 대비 4% 오르며 3분기 평균판매가격이 10% 이상 상승할 것이란 기대를 뒷받침한다. 밸류체인 상단의 낙수효과도 우호적이다. TSMC는 2분기 매출 400억 달러(전년 대비 +34%)와 영업이익률 60%의 실적을 발표하고, 2나노 공정 가속화와 연 40%대 초반 성장 가이던스, 2026년 600억~640억 달러의 사상 최대 Capex 및 미국 팹 1,000억 달러 추가 투자 계획을 제시했다. 이는 첨단 HBM·SOCAMM·eSSD 수요 급증을 시사한다. ASML 또한 중국향 둔화에도 대만·로직 중심 성장으로 견조한 실적을 냈고, 하이-NA EUV와 신규 AI 칩에 대한 낙관적 전망을 유지해 로직 증설에 따른 메모리 주문 확대로 이어질 전망이다. 종합적으로 메모리 업황은 가격·수요 양면에서 상승 사이클에 진입한 것으로 판단된다.
AI 투자 인사이트
DRAM 계약·현물가 동반 상승과 NAND 반등, TSMC 최대 Capex가 겹치며 메모리 업사이클이 확인되는 국면. MU 등 메모리주와 TSM·ASML 밸류체인 수혜에 주목.
