中 반도체장비 국산화 35%, 노광은 5% 미만

중국 반도체 장비 산업의 국산화가 진전되고 있으나 핵심 노광장비 분야에서는 여전히 해외 의존도가 압도적인 것으로 나타났다. 중국 현지 매체 보도에 따르면 신규 반도체 생산라인을 기준으로 한 장비 국산화율은 2025년 약 30%에서 2026년 35% 수준까지 상승할 것으로 전망된다. 다만 이는 신설 라인에 국한된 수치로, 기존 가동 중인 생산라인은 해외 장비 비중이 높게 유지되고 있다. 반면 리소그래피로 불리는 노광장비의 국산화율은 5%에도 미치지 못해 사실상 수입에 의존하는 상황이다. 중국은 2024년과 2025년 각각 100억 달러가 넘는 노광장비를 사들였으며, 2026년 예상되는 수입 감소 역시 국산화 성과가 아니라 과거 ASML 장비를 대규모로 선구매해 확보해둔 물량 때문이라는 분석이 제기됐다. 기술 수준에서도 격차는 뚜렷하다. 중국산 노광장비는 건식 DUV 단계에 머물러 있으며 침지식 DUV조차 상용화에 이르지 못한 상태로 평가된다. 건식 DUV는 멀티패터닝을 동원해도 약 28nm가 한계이고, 7nm 공정에는 침지식 DUV가, 5nm 이하 첨단 공정에는 EUV 노광장비가 사실상 필수적이다. 노광장비는 광학·기계·물리 등 이질적 기술과 복잡한 글로벌 공급망이 맞물린 분야다. ASML이 핵심 부품의 약 20%만 자체 개발하고 나머지를 글로벌 파트너망으로 조달하는 반면, 제재 아래 놓인 중국은 공급망 전반을 자체 구축해야 해 개발 난이도가 한층 높다는 지적이다. 첨단 공정 진입을 위해서는 결국 침지식 DUV와 EUV 기술 확보가 관건이 될 전망이다.