삼성전자, 기흥에 신규 D램 팹 추진

삼성전자가 경기 기흥캠퍼스에 신규 D램 공장을 추진하며 메모리 증설에 속도를 내고 있다. 한국경제 보도에 따르면 옛 SR5 부지에 월 10만 장 안팎의 300㎜ 웨이퍼를 처리할 수 있는 새 D램 팹을 짓는 방안이 검토되고 있으며, 올해 3분기 착공과 수십조원 규모의 투자가 거론된다. 이는 앞서 발표된 호남 반도체 클러스터와는 별개로 진행되는 프로젝트다. 주목할 대목은 단순 증설이 아니라는 점이다. 해당 부지는 원래 R&D센터 2개 동이 들어설 예정이었으나, 삼성전자는 이를 메모리 생산시설로 전환하는 방향으로 계획을 수정했다. 연구공간 확대보다 실질적인 생산능력 확보를 더 시급한 과제로 보고 있다는 의미로, AI 서버 투자 확대 이후 HBM은 물론 서버용·범용 D램까지 공급 부족이 번지는 상황을 구조적 수요 증가로 판단하고 있음을 시사한다. 현재 삼성전자의 D램 웨이퍼 생산능력은 월 약 65만 장 수준으로 알려져 있다. 기흥 신규 팹이 월 10만 장 규모로 완공되면 웨이퍼 투입 기준 능력은 약 15% 늘어난다. 다만 실제 비트 생산량은 적용 공정, 웨이퍼당 칩 수, 수율, 제품 구성에 따라 달라지므로 단순 15% 증가로 해석하기는 어렵다. 증설 전략은 세 축으로 정리된다. 평택 P4는 HBM4용 D램 등 첨단 메모리 증설, 기흥은 중기 공급 부족을 메우는 신규 생산기지, 2029년 가동 목표로 앞당겨진 용인 클러스터는 장기 대규모 생산능력 확보 역할을 맡는다. 다만 이번 소식이 당장 D램 공급을 늘리는 것은 아니다. 착공 이후 클린룸 건설, 장비 반입, 공정 셋업, 시험 생산, 수율 안정화를 거쳐야 하기 때문이다. 단기 가격을 낮출 공급 충격이라기보다, 향후 수년간 반도체 장비·소재 발주가 확대될 수 있다는 중장기 신호에 가깝다. 완공·양산 시점과 적용 공정 세대는 아직 공식 확정되지 않았다.