AI 요약
- •중국 최대 DRAM 업체 CXMT가 295억 위안(약 5.5조원) 규모로 과창판 상장을 추진하며 2026년 A주 최대 IPO에 나선다.
- •범용 DRAM 공급 부족으로 CXMT는 단기 수혜를 누리나, HBM은 SK하이닉스·삼성이 HBM4로 앞선 반면 CXMT는 HBM3 소량 양산에 머물러 격차가 크다.
- •범용 DRAM 사이클 정점은 2027년 말, HBM 대규모 증설 변곡점은 2028년으로 전망된다.
뉴스 기사
중국 최대 DRAM 제조사인 창신메모리(CXMT)가 295억 위안(약 5조5천억원) 규모의 IPO로 과창판 상장을 추진한다. 이는 2026년 중국 A주 시장 최대 규모이자 과창판 역사상 두 번째로 큰 공모다. 주당 공모가는 8.66위안, 상장 시가총액은 약 5,800억 위안으로 시장 예상보다 낮게 책정됐다. CXMT의 단기 실적은 폭발적이다. 2026년 1분기 매출은 508억 위안으로 전년 대비 719% 급증했고, 순이익은 247.6억 위안으로 1688% 늘었다. 2025년 4분기 기준 글로벌 DRAM 점유율 7.67%로 세계 4위이자 중국 1위에 올랐다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 선단 공정을 HBM과 서버용 DDR5로 대거 전환하면서 비워둔 범용 DRAM 시장(2026년 약 7% 공급 부족)에서 반사 수혜를 누린 결과다. 다만 구조적 한계도 뚜렷하다. HBM 부문에서 삼성·SK하이닉스가 HBM4에 진입한 반면 CXMT는 HBM3 샘플 검증과 소량 양산에 머물러 있다. HBM4부터 요구되는 베이스 다이 로직 공정, EUV 장비, CoWoS급 첨단 패키징 확보가 순수 DRAM IDM인 CXMT에는 큰 진입장벽이다. IPO 자금 중 차세대 DRAM R&D 배정액은 90억 위안에 불과해, 연간 수십조원을 투자하는 글로벌 3강과의 격차를 단번에 좁히기 어렵다. 사이클 관점에서는 범용 DRAM 정점이 스마트폰·PC 수요 둔화와 재고 누적으로 2027년 말에, HBM 신규 증설이 집중되는 변곡점이 2028년에 도래할 가능성이 높다는 분석이다. SK하이닉스 상장 직후 메모리 섹터가 급락한 사례는 AI 열풍 이면의 전통적 메모리 사이클이 여전히 유효함을 보여준다. HBM 공급 능력이 없는 기업은 장기계약(LTA)으로 미래 가격을 고정하기 어려워 결국 심한 주기적 밸류에이션 틀에 갇힌다는 점이 CXMT의 장기 가치를 제약하는 핵심 변수로 지목된다.
AI 투자 인사이트
범용 DRAM 단기 호황은 마이크론 등 기존 메모리주에도 우호적이나, 사이클 정점을 2027년 말로 보는 만큼 HBM 기술 해자를 가진 SK하이닉스·삼성 중심의 선별 접근이 유효하다.
