ASML, 메모리發 EUV 퍼펙트스톰 수혜

네덜란드 노광장비 기업 ASML이 2026년 2분기 실적 발표에서 메모리 부문의 폭발적 성장세를 재확인했다. 이번 분기 순 시스템 매출 66억 유로 가운데 메모리 비중은 49%에 달해, 51%를 기록한 로직 부문과 사실상 어깨를 나란히 했다. ASML은 강한 시장 수요를 근거로 올해 메모리 관련 순 시스템 매출이 전년 대비 75% 이상 늘어날 것으로 내다봤다. 성장의 핵심 동력은 DRAM과 HBM의 동시 가격 강세다. 공급 측 병목이 두 제품군 가격을 함께 끌어올리면서, 메모리 제조사들은 공격적으로 신규 팹 증설에 나서고 있다. 고객사들은 올해 상당한 생산 능력을 추가하는 동시에 향후 수년에 걸쳐 단계적으로 가동될 다수의 메가 팹 건설을 계획 중이다. 특히 HBM 공정은 일반 DRAM보다 더 많은 웨이퍼를 소모해 물량 확대 효과가 두드러진다는 점이 부각됐다. 기술 측면에서는 선단 공정 전환에 따른 노광 집약도 상승이 관전 포인트다. 메모리 업체들이 미세 노드로 이동하면서 필요한 노광 단계가 늘어 EUV와 DUV 이머전 장비 수요가 함께 자극받고 있다. 멀티 패터닝을 보다 경제적인 단일 노광 EUV로 대체하는 흐름은 Low-NA EUV 수요를 견인한다. 현재 램프업이 강하게 진행 중인 1b(10나노급 5세대)와 차기 대형 노드인 1c(6세대) 공정에서 EUV 레이어 사용량이 크게 증가하고 있으며, ASML은 이를 DRAM 시장 장비 수요를 극대화하는 '퍼펙트 스톰'으로 규정했다. 차세대 High-NA EUV에 대해서도 로직뿐 아니라 DRAM 고객사가 동일하게 평가를 진행 중이라고 밝혔다. 메모리는 생산 물량 자체가 커 High-NA 도입 시 기대 기회가 막대하며, 마이그레이션이 일정 수준을 넘어서면 High-NA 싱글 패터닝이 비용·기술 경쟁력을 확보해 로직과 메모리 양 진영 모두 유력한 도입 후보로 지목됐다.