보쉬, 美 CHIPS 2.25억달러 SiC 보조금 확보

독일 보쉬(Bosch)가 미국 정부의 반도체 지원 정책인 CHIPS법을 통해 탄화규소(SiC) 전력반도체 사업 확장에 나선다. 보쉬는 7월 13일 미국 상무부와 최대 2억 2,500만 달러 규모의 직접 보조금 협약을 확정했다고 발표했다. 이 자금은 캘리포니아 로즈빌(Roseville) 공장에 대한 최대 20억 달러 규모 투자를 뒷받침하게 된다. 40년 이상의 반도체 제조 이력을 보유한 로즈빌 공장은 현재 SiC 반도체 생산·테스트 거점으로 전환 중이며, 보쉬는 같은 날 해당 공장에서 샘플 생산을 이미 개시했다고 밝혔다. 회사는 2026년 200mm(8인치) 웨이퍼 기반으로 SiC 칩 상업 양산을 시작하는 것을 목표로 제시했다. SiC는 차량 전동화와 산업용 에너지 분야에 주로 투입되는 핵심 소재로, 이번 투자는 단순한 개별 공장 프로젝트를 넘어 미국 전력반도체 공급망 현지화 흐름의 일부로 평가된다. 완성차 OEM과 산업 고객 입장에서는 현지 공급 확보가 납기, 지정학적 리스크, 조달 예측 가능성 측면에서 개선 효과를 가져올 수 있다. 다만 글로벌 SiC 경쟁 구도에서 보면 이번 증설은 온세미(onsemi), 울프스피드(Wolfspeed), ST마이크로일렉트로닉스, 인피니언 등 기존 업체들과의 정면 경쟁을 심화시키는 요인이기도 하다. 또한 SiC 증설은 통상 에피택시, 식각, 계측, 고온 신뢰성 테스트 수요를 동반 견인하므로 관련 장비·소재 업체에도 파급 효과가 예상된다. 향후 보쉬의 양산 수율이 순조롭게 상승할 경우 미국 본토 SiC 공급 비중은 2026~2027년에 걸쳐 한층 확대될 전망이다.