화웨이, 昇維旭와 DRAM 자체 팹 구축…월 14만장

중국 화웨이가 메모리 반도체 자립을 향해 본격적인 발걸음을 내디뎠다. 화웨이는 중국 현지 메모리 기업 昇維旭(SwaySure)와 손을 잡고 정부 지원을 등에 업은 12인치 DRAM 전용 웨이퍼 팹을 구축하기로 했다. 목표 생산능력은 월 14만 장 규모다. 주목할 점은 이번 팹이 초기에는 첨단 HBM이 아닌 28nm 성숙 공정 기반의 DRAM 양산에 초점을 맞춘다는 것이다. 파운드리 운영 경험이 부족한 약점을 메우기 위해 화웨이는 전 TSMC 고위 임원을 CEO로 영입했고, 일본 메모리 기업 엘피다 출신 인사를 전략 고문으로 앉혔다. 조직 역량을 외부 전문 인력으로 빠르게 끌어올리려는 포석으로 풀이된다. 이번 프로젝트의 궁극적 겨냥점은 삼성전자, SK하이닉스, 미국 마이크론 등 이른바 '메모리 3강'이다. 이들 3사는 현재 글로벌 메모리 시장의 약 95%를 장악하고 있다. 화웨이는 자체 생산을 통해 미·중 반도체 갈등과 추가 제재 상황에서도 제품 공급을 안정적으로 확보하고, 내재화에 따른 원가 경쟁력을 확보하려는 전략적 의도를 드러냈다. 시장에서는 28nm 성숙 공정 중심의 이번 투자가 첨단 D램·HBM 수요를 즉각 위협하기는 어렵다고 본다. 그러나 중국의 메모리 자립 속도가 빨라질 경우 중장기적으로 마이크론을 비롯한 기존 강자들의 중국 내 범용 메모리 점유율에 압박 요인으로 작용할 수 있다는 관측이 나온다. 관련 그림자 팹(펑신웨이·펑신쉬 등)들이 이미 미국 상무부 수출 통제 명단에 오른 점도 이번 움직임의 지정학적 무게를 보여준다.