타워반도체, 日 30억달러 투자 확대

타워반도체(Tower Semiconductor)가 일본 내 제조 역량 확충을 위해 총 30억 달러 규모의 투자를 단행한다고 밝혔다. 이번 투자에는 일본 정부의 약 10억 달러 보조금 지원이 포함돼, 지정학적 공급망 재편 흐름 속에서 특수 파운드리 생산 기지를 일본에 안착시키려는 전략으로 풀이된다. 투자는 두 단계로 진행된다. 1단계에서는 니가타현에 위치한 아라이(Arai) 팹을 300mm 웨이퍼 기반 실리콘 포토닉스 생산 라인으로 업그레이드하며, 2027년 4분기 완전 가동을 목표로 한다. 실리콘 포토닉스는 AI·데이터센터 확산으로 급증하는 고속 광 인터커넥트 수요와 직결되는 핵심 기술이다. 2단계에서는 기존 Fab 7 인근에 신규 300mm 팹을 건설한다. 이 라인에는 고속·저전력 데이터 전송에 특화된 실리콘-게르마늄(SiGe) 공정 기술이 적용될 예정이다. 대규모 증설과 정부 보조금은 타워의 특수 공정 파운드리 입지를 강화하고, AI 인프라향 광통신·고주파 반도체 수요 대응력을 높이는 긍정적 재료로 평가된다. 다만 실제 매출 기여는 2027년 이후 양산 시점에 본격화될 전망이다.