SK하이닉스 용인 Y1팹 조기 착공·장비 발주

SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터의 첫 생산기지인 'Y1' 팹 구축에 속도를 내고 있다. 반도체·장비 업계에 따르면 7월 14일 기준 SK하이닉스는 Y1 팹에 들어갈 첨단 DRAM 장비를 주요 협력사에 발주하기 시작했다. 용인 원삼면에 조성 중인 Y1은 두 개의 건물과 여섯 개의 클린룸으로 구성되며, 현재 1단계 클린룸 공사가 진행 중이다. 당초 내년 5월로 예정됐던 Y1 1단계 가동 시점을 2월로 앞당기기로 하면서, 회사는 내년 2월 파일럿(원패스) 라인을 구축하고 3~4월부터 월 2만장 규모로 생산능력 확대에 나설 계획이다. 주력 제품은 최선단 6세대 10나노급인 1c DRAM으로, 현재 상용화된 DRAM 중 가장 앞선 세대다. AI용 고부가 DDR·LPDDR 제품에 쓰이며, 내년 본격 상용화가 예상되는 7세대 고대역폭 메모리 HBM4E에도 적용될 예정이다. SK하이닉스는 통상 연말에 진행하던 장비 가격 협상을 3분기부터 앞당겨 시작하며 도입 일정을 서두르고 있다. 아울러 총 600조원이 투입되는 용인 클러스터 4개 팹 중 마지막 팹 완공 목표를 기존 2045년에서 2033년으로 12년 앞당겼다. 이는 AI 수요 확대에 따른 메모리 공급 부족에 대응하려는 전략으로 풀이된다. 최선단 DRAM 증설 가속은 HBM 공급망과 반도체 장비 업계 전반에 긍정적 파급 효과를 줄 것으로 전망된다.