AI 요약
- •어플라이드머티리얼즈(AMAT)가 DRAM 웨이퍼 팹 장비(WFE) 시장 1위임을 강조하며 DRAM WFE가 NAND 대비 2배 이상 성장할 것으로 전망했다.
- •선단 로직이 파운드리/로직 내에서 50% 이상의 점유율로 성장할 것으로 내다봤다.
- •EUV 확대, 첨단 주변 로직, CMOS 본딩 어레이, 수직 트랜지스터 4F² DRAM, 3D DRAM 등 5대 DRAM 기술 변곡점을 제시했다.
뉴스 기사
반도체 장비 업체 어플라이드머티리얼즈(AMAT)가 자사가 DRAM 웨이퍼 팹 장비(WFE) 시장에서 선두 지위를 확보하고 있음을 강조했다. 회사는 향후 DRAM용 장비 투자가 NAND 대비 2배를 크게 웃도는 속도로 확대될 것으로 내다봤다. 동시에 파운드리·로직 영역에서는 선단 공정 비중이 전체의 50%를 훌쩍 넘는 수준까지 성장할 것으로 전망했다. 이는 첨단 공정으로의 전환이 장비 수요를 견인하는 구조가 강화되고 있음을 보여준다. AMAT는 DRAM 기술의 향후 방향으로 다섯 가지 핵심 변곡점을 제시했다. 구체적으로 EUV 노광 채택 확대, 보다 진보된 주변 로직, CMOS 본딩 어레이, 수직 트랜지스터를 적용한 4F² DRAM, 그리고 궁극적으로 3D DRAM으로의 전환이 꼽혔다. 이러한 미세화 및 구조 혁신은 공정 난도를 높여 웨이퍼 팹 장비 수요를 구조적으로 확대시키는 요인으로 작용한다. 메모리 업황 회복과 AI 수요 확대가 맞물릴 경우 장비주 전반의 중장기 성장 스토리를 뒷받침할 전망이다.
AI 투자 인사이트
DRAM WFE가 NAND 대비 2배 이상 성장하고 EUV·3D DRAM 등 공정 난도가 높아질수록 AMAT 등 선단 장비주의 수혜 폭이 커진다.
