중국 메모리 증설 본격화, DDR4·NAND 공세

중국 메모리 업체들의 생산능력 확대가 본격 국면에 진입하며 글로벌 메모리 시장의 공급 지형이 바뀌고 있다. 모건스탠리는 DDR4 공급 부족이 점차 완화되고 있다고 진단하며 DDR4 비중이 높은 기업에 대해 신중한 시각을 유지했다. 중국 GigaDevice의 2026년 CXMT 거래 예산이 전년 대비 크게 늘어난 점은 CXMT의 DDR4 증설이 궤도에 올랐음을 방증한다. CXMT는 2026년 말까지 DRAM 월 생산능력을 35만 장으로 끌어올릴 계획으로, 이는 마이크론의 약 38만5,000장에 근접하는 규모다. 삼성전자와 SK하이닉스가 DDR4 생산을 축소하는 사이 CXMT는 저원가 전략을 앞세워 DDR3·DDR4 시장 점유율 확대를 노리고 있다. 낸드(NAND) 진영에서는 YMTC가 3D NAND와 SLC NAND, NOR 플래시 생산을 늘리고 있다. 우한 3공장은 당초 계획보다 앞당겨 2026년 3분기에서 연말 사이 양산에 들어가며 초기 월 생산능력은 5만 장 수준이다. 이후 신규 공장 두 곳을 추가로 지어 2027~2028년 총 낸드 생산능력을 월 50만 장까지 확대한다는 구상이다. YMTC는 DRAM 진출도 준비해 LPDDR 샘플을 고객사에 전달했으며, 2026년 말까지 고객 평가 결과를 받아 낸드와 D램을 동시에 생산하는 사업 구조를 갖출 가능성이 거론된다. 반면 난야테크의 현재 DRAM 생산능력은 월 6만 장으로 CXMT와 격차가 크다. 이에 중국 업체와 DDR4에서 정면으로 맞붙기보다 1B·1C 공정 기반 DDR5와 AI 맞춤형 UltraWIO 메모리로 무게중심을 옮겨 차별화된 경쟁력을 확보한다는 전략이다. 중국은 미국의 반도체 규제로 첨단 공정과 HBM 개발이 막히자, 성숙공정과 범용 메모리 생산능력을 대폭 늘리는 우회 전략을 택했다. 자동차·가전·산업용 등 성숙공정 시장의 주도권을 쥐고 가격 경쟁력으로 글로벌 경쟁사를 압박하는 동시에, 축적된 양산 경험을 발판 삼아 첨단 기술력까지 키우겠다는 장기 포석으로 평가된다.