中 CXMT, 본딩 DRAM 시험라인 가동

중국 최대 D램 업체인 창신메모리(CXMT)가 허페이 공장에서 '본딩 D램(Bonded DRAM)' 시험 생산라인을 가동 중인 것으로 전해지며 한국 메모리 업계가 촉각을 곤두세우고 있다. 중국 현지 언론 보도를 인용한 이번 소식의 핵심은 EUV(극자외선) 노광 장비 없이도 고집적·고성능 D램을 만들려는 우회 전략이다. 본딩 D램은 기존처럼 메모리 셀 어레이와 주변 로직을 하나의 칩에 함께 새겨 넣는 대신, 두 영역을 각각 최적화된 공정으로 따로 제작한 뒤 하이브리드 본딩 기술로 물리적으로 결합하는 설계 방식이다. CXMT는 여기에 DUV 장비의 다중 노광을 접목해 EUV 의존도를 낮추면서도 집적도와 성능을 끌어올리는 접근을 취하고 있다. 하이브리드 본딩이 칩을 직접 연결하는 '공정' 기술이라면, 본딩 D램은 D램 구조 자체를 바꾸는 '설계' 패러다임이라는 점에서 구분된다. 시장이 주목하는 이유는 기술과 생산능력이 동시에 확대되고 있다는 데 있다. 반도체 분석기관 SemiAnalysis는 CXMT의 월간 웨이퍼 생산능력이 2026년 말 약 35만 장에 달할 것으로 전망했다. 여기에 YMTC의 낸드 본딩 기술까지 더해지면 중국이 'HBM 이후' 차세대 메모리 경쟁에서 삼성전자·SK하이닉스와의 기술 격차를 예상보다 빠르게 좁힐 수 있다는 우려가 제기된다. 다만 현 단계는 어디까지나 시험 생산라인 수준으로, 양산 수율과 실제 성능 검증은 아직 남은 과제다. 그럼에도 EUV 규제라는 제약을 설계 혁신으로 우회하려는 중국의 시도는 글로벌 메모리 공급 구도와 마이크론을 포함한 기존 강자들의 중장기 경쟁 환경에 잠재적 변수로 작용할 전망이다.